到目前为止，虽然我们已经有成熟的材料生长理论，材料制备仍然是一个非常依赖于经验的学科，这也导致一个新材料开发的周期通长达20-30年，甚至更长。为了缩短新材料的开发周期，我们课题组在过去20年内致力于材料生长机制，开发可以用于指导材料生长的理论的研究。本次报告我将主要介绍我们课题组过去在低维材料生长机制方面取得的一系列标志性的理论成就，以及这些理论在材料生长实验中的应用，包括：
主 讲 人：丁峰 深圳理工大学 讲座教授
题 目：用于指导材料生长实验设计的理论开发
日 期：2023年4月12日 时 间：16:00-17:30
地 点：哈尔滨工业大学（深圳） 信息楼L416
（1） 开发可以用于指导实验设计的理论的多尺度计算方案。
（2） 我们对碳纳米管生长机制的理解与碳纳米管的可控合成，包括碳纳米管的成核理论，生长动力学，结构选择碳纳米管的制备方法。
（3） 我们对石墨烯和其它二维材料生长机制的理解与二维大单晶的制备，包括二维材料外延生长理论，制备二维大单晶的方法和实验实现。
（4） 对金属铜箔晶粒异常长大的理论理解，金属大单晶与单晶金属箔的实验制备。
最后我将介绍在AI时代，开发材料生长过程模拟和材料生长机制理论的可行性与方案。并介绍在关键材料，包括单晶硅，GaN，SiC，金刚石等，合成中的更广泛的应用。
[1] Feng Ding*, et al., Seeded growth of large single-crystal copper foils with high-index facets, Nature, 581 (7809), 406-410 (2020);
[2] Feng Ding*, et al., Epitaxial growth of a 100-square-centimetre single-crystal hexagonal boron nitride monolayer on copper, Nature, 570 (7759), 91-95 (2019);
[3] Feng Ding*, et al., Epitaxial Single-Crystal Hexagonal Boron Nitride Multilayers on Ni (111), Nature, 606 (7912), 88-93 (2022);
[4] Feng Ding*, et al., Continuous Epitaxy of Single-Crystal Graphite Films by Isothermal Carbon Diffusion through Nickel, Nature Nanotechnology, 17, 1258–1264 (2022);
[5] Feng Ding*, et al., Dual-Coupling-Guided Epitaxial Growth of Wafer-Scale Single-Crystal WS2 Monolayer on Vicinal a-Plane Sapphire, Nature Nanotechnology, 17, 33-38 (2022);
报告人简介：
丁峰教授在2002年获得南京大学物理学博士学位，在2003到2008年期间在瑞典哥德堡大学和美国莱斯大学做博士后与访问学者研究。2009年作为助理教授加入香港理工大学。2013年晋升为终身制副教授。2017年加入韩国蔚山科技学院任杰出教授并兼任韩国基础科学研究院多维碳材料中心理论组课题组长。自2017年起获得韩国基础科学研究院固定经费每年150万美元的研究经费资助。2022年底加入筹建中的深圳理工大学任讲座教授，并兼职加入中科院深圳先技术研究院的碳中和所与材料所。
丁峰教授的课题组多年来专注于低维材料生长机制的研究，开发了多种适用于模拟材料动力学过程的方法与软件。丁峰教授所提出的低维材料生长机制理论目前已得到国际学术界的广泛认可，并产生了广泛的国际影响，在材料生长机制探索领域处于国际领先地位。丁峰教授共发表SCI论文超320篇，其中IF > 10的论文超过一半，包括Nature/Science (8), Nat. Mater./Nat. Nano./Nat. Chem. (9), Nat. Comm./Sci. Adv./PNAS/JACS/PRL (37) 等。这些论文目前被SCI引用超17000次。
